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芯片巨头奋力追赶,7nm芯片走上正轨,性能堪比台积电5nm

全球半导体产业垂直分工的大趋势下,芯片制造市场的集中度越来越高,绝大多数份额都被掌控在头部企业手中。台积电和三星电子,是目前实力最强的两家专业晶圆代工厂。包括华为、高通、苹果、AMD在内的芯片巨头,……

全球半导体产业垂直分工的大趋势下,芯片制造市场的集中度越来越高,绝大多数份额都被掌控在头部企业手中。

台积电和三星电子,是目前实力最强的两家专业晶圆代工厂。包括华为、高通、苹果、AMD在内的芯片巨头,都会将芯片制造订单交付给这两位代工厂来完成。

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而昔日IDM巨头英特尔,因为没能及时跟上时代的原因,在芯片制造工艺的升级上停滞不前,14nm一用就是好几年。而7nm芯片的量产更是一推再推。

2021年开年后,换帅后的英特尔重新拾起芯片制造业务,制定了IDM 2.0战略。在技术型CEO帕特基辛格的带领下,美国老将英特尔正在奋力追赶。

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日前,帕特基辛格终于传来好消息,英特尔的7nm芯片走上正轨。

根据帕特基辛格透露的消息可知,公司已经完成7nm Meteor Lake芯片的“Tape-in”,即IP模块完成了设计验证阶段。

根据此前官方制定的计划,英特尔第一代7nm芯片会在2023年开始出货。在EUV光刻机的加持下,英特尔的7nm工艺有望如期而至。

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相比起英特尔7nm工艺的进度,笔者更关心这项工艺的实力。

虽然英特尔在工艺制程的研发上进度较慢,但公司在每个制程节点上的晶体管密度提升都十分可观。

例如14nm和10nm之间,晶体管密度有2.7倍的差距,后者的晶体管密度达到100.8亿每平方毫米。

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如果按照英特尔前任CEO在2019年年末的说法,英特尔在7nm上追求2倍提升的话,理论上,英特尔的7nm晶体管密度大约为202到250亿每平方毫米。

相比之下,台积电每个工艺节点上的晶体管密度提升并不算可观。例如第一代7nm,密度只有96.5亿每平方毫米,用上EUV光刻机之后才达到113.9亿每平方毫米。

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按照台积电官方给出的数据,旗下5nm工艺的逻辑密度是第二代7nm的1.8倍。也就是说,公司5nm工艺的晶体管密度在173亿每平方毫米左右。

如此看来,英特尔的7nm工艺的确可以媲美或者说超越台积电的5nm。如此一来,英特尔有希望在工艺研发进度上追平三星甚至是台积电,在晶圆代工市场将重获新生。

当然,上述比对结果依据的是理论上的数据,英特尔7nm工艺的具体情况如何,还需要看官方实现量产后公布的最终数据。

文/谛林 审核/子扬 校正/知秋

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